Transistörler - IGBT - Tekil
STGB25N40LZAG
POWER TRANSISTORS
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGB25N40LZ
STGB25N40LZAG Hakkında
STGB25N40LZAG, STMicroelectronics tarafından üretilen bir N-channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 25A maksimum collector akımı ve 435V collector-emitter breakdown voltajı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, yüksek frekanslı switching uygulamalarında, güç kaynakları, motorlu sürücü devreleri ve indüktif yüklerin kontrolünde yaygın olarak kullanılmaktadır. 150W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve 1.1µs açılış, 4.6µs kapanış süresi ile hızlı switching özelliği sunar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) farklı ortamlarda güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 25 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 50 A |
| Gate Charge | 26 nC |
| Input Type | Logic |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 W |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Td (on/off) @ 25°C | 1.1µs/4.6µs |
| Test Condition | 300V, 10A, 1kOhm, 5V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.25V @ 4V, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 435 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok