Transistörler - IGBT - Tekil
STGB20NB37LZ
IGBT 425V 40A 200W D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGB20NB37LZ
STGB20NB37LZ Hakkında
STGB20NB37LZ, STMicroelectronics tarafından üretilen 425V rated IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 40A sürekli kolektör akımı ve 80A darbe akımı kapasitesi ile yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 200W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. 51 nC gate charge ve 2.3µs/2µs hızlı anahtarlama zamanı ile endüstriyel güç elektronikleri, inverterler, UPS sistemleri ve motor sürücü uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Not: Bu ürün obsolete (üretimden kaldırılmış) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 80 A |
| Gate Charge | 51 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 W |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Switching Energy | 11.8mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 2.3µs/2µs |
| Test Condition | 250V, 20A, 1kOhm, 4.5V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 4.5V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 425 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok