Transistörler - IGBT - Tekil
STGB20NB32LZ
IGBT 375V 40A 150W I2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGB20NB32LZ
STGB20NB32LZ Hakkında
STGB20NB32LZ, STMicroelectronics tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) bileşenidir. 375V kesici gerilim ile 40A kolektör akımı kapasitesine sahip olup, maksimum 150W güç dağıtabilir. D²Pak (TO-263) paketinde sunulan bu transistör, 51nC gate charge ve 2V Vce(on) değerleriyle düşük iletim kayıpları sağlar. Anahtarlama hızı 2.3µs açılış ve 11.5µs kapanış süreleriyle karakterize edilmiştir. -40°C ile +175°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel sürücü, motor kontrol, güç yönetimi ve anahtarlamalı güç kaynakları uygulamalarında kullanılır. Darbe akımı 80A'ya kadar çıkabilen STGB20NB32LZ, yüksek voltaj ve akım işleyen sistemlerde etkin bir anahtarlama çözümü sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 80 A |
| Gate Charge | 51 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150 W |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Switching Energy | 11.8mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 2.3µs/11.5µs |
| Test Condition | 250V, 20A, 1kOhm, 4.5V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 4.5V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 375 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok