Transistörler - IGBT - Tekil
STGB20H65DFB2
TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGB20H65DFB2
STGB20H65DFB2 Hakkında
STGB20H65DFB2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Gate Field-Stop teknolojisine sahip bir IGBT transistördür. Maksimum 40A sürekli kolektör akımı ve 60A pulse akımı ile çalışabilen bu komponent, güç dönüştürme uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, güç kaynakları ve inverter tasarımlarında kullanılır. TO-263-4 (D²Pak) paket türü ile SMD montaj imkanı sunar. 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlarken, 56nC gate charge değeri sürü hızlı ve verimli anahtarlama performansı garantiler. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil çalışma özellikleri gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| Gate Charge | 56 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 147 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 215 ns |
| Supplier Device Package | D2PAK-3 |
| Switching Energy | 265µJ (on), 214µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 16ns/78.8ns |
| Test Condition | 400V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok