Transistörler - IGBT - Tekil
STGB20H60DF
IGBT 600V 40A 167W D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGB20H60DF
STGB20H60DF Hakkında
STGB20H60DF, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V Trench Field Stop teknolojili IGBT transistörüdür. 40A sürekli kolektör akımı ve 80A darbe akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulur. 167W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve 42.5ns açılış / 177ns kapanış süresiyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. 115nC gate charge değeri ile düşük sürücü gücü gereksinimi vardır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. İnverterler, motor kontrol devreleri, AC/DC konvertörler ve endüstriyel güç elektronik uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 80 A |
| Gate Charge | 115 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 167 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 90 ns |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Switching Energy | 209µJ (on), 261µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 42.5ns/177ns |
| Test Condition | 400V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 20A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok