Transistörler - IGBT - Tekil
STGB15M65DF2
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGB15M65DF2
STGB15M65DF2 Hakkında
STGB15M65DF2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Gate Field-Stop IGBT transistördür. 30A maksimum collector akımı ve 60A pulse akımı kapasitesine sahiptir. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında düşük gate charge (45nC) ve hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde verimli çalışır. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 136W maksimum güç yayılımı kapasitesine sahiptir. Endüstriyel güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, kaynak makinaları ve UPS sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| Gate Charge | 45 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 136 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 142 ns |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Switching Energy | 90µJ (on), 450µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 24ns/93ns |
| Test Condition | 400V, 15A, 12Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok