Transistörler - IGBT - Tekil
STGB15H60DF
IGBT 600V 30A 115W D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGB15H60DF
STGB15H60DF Hakkında
STGB15H60DF, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V Trench Field Stop IGBT transistördür. 30A sabit ve 60A (Icm) darbe akımı kapasitesi ile güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, şalter modülü tasarımları, endüstriyel sürücüler, kaynak cihazları ve UPS sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 2V sabit durum gerilimi (Vce(on)) ve 115W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. 81nC gate yükü ve 103ns ters iyileşme süresi (trr) ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| Gate Charge | 81 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 115 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 103 ns |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Switching Energy | 136µJ (on), 207µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 24.5ns/118ns |
| Test Condition | 400V, 15A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok