Transistörler - IGBT - Tekil

STGB12NB60KDT4

IGBT 600V 30A 125W D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
STGB12NB60KD

STGB12NB60KDT4 Hakkında

STMicroelectronics tarafından üretilen STGB12NB60KDT4, 600V çalışma gerilimi ve 30A sürekli kollektör akımına sahip tekil IGBT transistörüdür. D2PAK (TO-263) yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, 125W maksimum güç yeteneğine ve 80ns ters iyileştirme zamanına (trr) sahiptir. 54nC kapı yükü ile hızlı anahtarlama karakteristiğine (25ns/96ns açılış/kapanış süresi) sahiptir. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında stabilitesini korur. Endüstriyel güç dönüşüm uygulamaları, motor kontrolü, inverter devreleri ve enerji yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Bileşen, 480V/12A test koşullarında 2.8V Vce(on) değeri gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 30 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 60 A
Gate Charge 54 nC
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power - Max 125 W
Reverse Recovery Time (trr) 80 ns
Supplier Device Package D2PAK
Switching Energy 258µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 25ns/96ns
Test Condition 480V, 12A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok