Transistörler - IGBT - Tekil
STGB10NB40LZT4
IGBT 440V 20A 150W D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGB10NB40LZ
STGB10NB40LZT4 Hakkında
STGB10NB40LZT4, STMicroelectronics tarafından üretilen 440V kolektör-emitter gerilimi ile çalışan bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 20A nominal ve 40A pulslu kolektör akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, maksimum 150W güç dissipasyon sınırında çalışabilir. D2PAK yüzey montaj paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında güvenilir şekilde faaliyet gösterir. 1.3µs açılış ve 8µs kapanış süresi ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Vce(on) değeri 4.5V gate geriliminde 10A akımda 1.8V olarak belirtilmiştir. Bu IGBT, endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrol uygulamaları, kaynak makineleri ve güç dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 40 A |
| Gate Charge | 28 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 W |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Switching Energy | 2.4mJ (on), 5mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 1.3µs/8µs |
| Test Condition | 328V, 10A, 1kOhm, 5V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 4.5V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 440 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok