Transistörler - IGBT - Tekil
STGB10NB37LZ
IGBT 440V 20A 125W D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGB10NB37LZ
STGB10NB37LZ Hakkında
STGB10NB37LZ, STMicroelectronics tarafından üretilen 440V kolektör-emitter diyot gerilimi ile 20A maksimum collector akımına sahip bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. D²PAK (TO-263) yüzey montajlı pakete sahip bu komponent, 125W maksimum güç disipasyonu kapasitesine ve -65°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 28nC gate charge ve 1.8V Vce(on) değerleriyle anahtarlama uygulamalarında düşük iletkenim sağlar. Switching energy değerleri (2.4mJ on, 5mJ off) ile 1.3µs/8µs açılma/kapanma zamanlarında hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır. Motor kontrolü, güç kaynakları ve inverter uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Ürün üretimi durdurulmuştur (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 40 A |
| Gate Charge | 28 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 125 W |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Switching Energy | 2.4mJ (on), 5mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 1.3µs/8µs |
| Test Condition | 328V, 10A, 1kOhm, 5V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 4.5V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 440 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok