Transistörler - IGBT - Tekil
STGB10M65DF2
IGBT 650V 10A D2PAK
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STGB10M65DF2
STGB10M65DF2 Hakkında
STGB10M65DF2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. D²Pak (TO-263-3) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 10A sabit akım ve 40A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 28nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine ve 115W maksimum güç yönetimi kapasitesine sahiptir. -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu IGBT, invertör, servo sürücüleri, AC/DC konvertörleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar ve 96ns ters derlenme zamanı ile elektromanyetik enterferensi azaltır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 40 A |
| Gate Charge | 28 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 115 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 96 ns |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Switching Energy | 120µJ (on), 270µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 19ns/91ns |
| Test Condition | 400V, 10A, 22Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok