Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

SSTA06HZGT116

NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
SSTA06

SSTA06HZGT116 Hakkında

SSTA06HZGT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, küçük sinyal uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 500mA kolektör akımı ve 100MHz geçiş frekansı kapasitesine sahiptir. 80V maksimum kolektör-emitter gerilimi diyapozon ve 200mW güç yeteneği ile amplifikasyon, anahtarlama ve ses frekansı devrelerinde kullanılabilir. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar ve düşük kolektör doyum gerilimi (250mV) sayesinde verimli anahtar işlemi sağlar. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol ve sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Supplier Device Package SST3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok