Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SSM6N815R,LF
MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
- Paket/Kılıf
- 6-SMD
- Seri / Aile Numarası
- SSM6N815R
SSM6N815R,LF Hakkında
SSM6N815R,LF, Toshiba tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistöridir. 100V drain-source gerilimi ve 2A sürekli akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. Logic level gate sürüşü özelliğine sahip olup 4V ile kontrol edilebilir. 103mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 6-TSOP-F yüzey monte paketi kullanılır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve dc-dc dönüştürücülerde kullanım alanı vardır. 150°C işletme sıcaklığına kadar çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Logic Level Gate, 4V Drive |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.1nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 103mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP-F |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok