Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SSM6N813R,LXHF
AUTO AEC-Q SS MOS DUAL N-CH LOW
- Paket/Kılıf
- 6-SMD
- Seri / Aile Numarası
- SSM6N813R
SSM6N813R,LXHF Hakkında
SSM6N813R,LXHF, Toshiba tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltajı ve 3.5A sürekli dren akımı ile çalışır. Logic level gate özelliğine sahip olup 4.5V sürücü voltajında çalışabilir. 112mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. AEC-Q oto yeterlilik standardına uygunluğu ve 175°C işletme sıcaklığı aralığı sayesinde otomotiv uygulamaları başta olmak üzere motor kontrol, güç anahtarlaması, LED sürücüsü ve enerji yönetimi devrelerinde kullanılır. Surface mount paketlemesi ile kompakt tasarımlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 242pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 175°C |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112mOhm @ 3.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP-F |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok