Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SSM6N7002BFE,LM
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- SSM6N7002BFE
SSM6N7002BFE,LM Hakkında
SSM6N7002BFE,LM, Toshiba tarafından üretilen çift N-kanal MOSFET transistörlerin bir dizisidir. 60V drain-source gerilimi ve 200mA sürekli drenaj akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. Logic Level Gate özelliğine sahip olan bu bileşen, 10V gate geriliminde 2.1Ohm RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 150mW maksimum güç tüketimi ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığıyla geniş uygulama spektrumunda yer alır. SOT-563 (ES6) yüzey montajı paketinde sunulan komponent, tüketici elektroniği, mobil cihazlar, sensör uygulamaları ve düşük voltaj güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. 17pF maksimum input kapasitesi hızlı anahtarlama işlemleri için elverişlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 17pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok