Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SSM6N68NU,LF

SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS H

Paket/Kılıf
6-WDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
SSM6N68NU

SSM6N68NU,LF Hakkında

SSM6N68NU,LF, Toshiba tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 30V drain-source gerilimi ve 4A sürekli dren akımı ile çalışabilen bu bileşen, 1.8V logic level gate sürüşü özelliğine sahiptir. Düşük on-state direnci (Rds On: 84mOhm @ 2A, 4.5V) sayesinde enerji kaybı minimize edilir. 6-WDFN yüzey montaj paketinde sunulan SSM6N68NU, genel amaçlı anahtarlama, güç yönetimi, motor kontrol ve bilgisayar periferal uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ve düşük kapasitans değerleri (Ciss: 129pF @ 15V), hızlı anahtarlama işlemleri gerektiren endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamaları için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate, 1.8V Drive
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 129pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power - Max 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 84mOhm @ 2A, 4.5V
Supplier Device Package 6-µDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok