Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SSM6N67NU,LF
SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS I
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- SSM6N67NU
SSM6N67NU,LF Hakkında
SSM6N67NU,LF, Toshiba tarafından üretilen düşük RDS(on) değerine sahip dual N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 4A sürekli dren akımı ile çalışan bu komponent, 1.8V logic level sürüş özelliğine sahiptir. 39.1mOhm maksimum on-direnci (Rds On) ile güç kaybını minimize eder. 6-WDFN yüzeye monte paketinde sunulan SSM6N67NU, anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörler, güç yönetimi devreleri ve güç dağıtım sistemlerinde kullanılır. Düşük gate şarjı (3.2nC) ve düşük input kapasitansı (310pF) hızlı komütasyon sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, mobil cihazlar, enerji yönetim sistemleri ve portatif uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 310pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39.1mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-µDFN (2x2) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok