Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SSM6N61NU,LF

MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN

Paket/Kılıf
6-WDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
SSM6N61NU

SSM6N61NU,LF Hakkında

SSM6N61NU,LF, Toshiba tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörleridir. 20V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. Logic level gate yapısı ile 1.5V sürüş voltajında çalışabilir, bu da düşük voltaj kontrol devrelerinde entegre edilmesini kolaylaştırır. 33mΩ on-resistance değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. Surface mount 6-WDFN paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç yönetimi, anahtarlanmış güç kaynakları ve genel dijital lojik uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, güç kayıpının minimum tutulduğu hassas uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate, 1.5V Drive
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 4A, 4.5V
Supplier Device Package 6-UDFNB (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok