Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SSM6N56FE,LM

MOSFET 2N-CH 20V 0.8A

Paket/Kılıf
SOT-563
Seri / Aile Numarası
SSM6N56FE

SSM6N56FE,LM Hakkında

SSM6N56FE,LM, Toshiba tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. Logic Level Gate özelliğine sahip bu bileşen, 1.5V sürüş voltajı ile düşük gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 20V Drain-Source gerilim toleransı ve 800mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi, LED sürücüleri, motor kontrolü ve analog anahtar uygulamalarında tercih edilir. SOT-563/SOT-666 yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 150mW güç tüketebilir. 235mOhm RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 800mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate, 1.5V Drive
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 55pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Part Status Active
Power - Max 150mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Supplier Device Package ES6
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok