Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SSM6N55NU,LF
MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- SSM6N55NU
SSM6N55NU,LF Hakkında
SSM6N55NU,LF, Toshiba tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 4A sürekli dren akımı kapasitesiyle, düşük sinyal işleme ve güç anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük voltaj lojik devreleriyle doğrudan uyumludur. 46mOhm (10V, 4A) olan RDS(on) değeri verimli güç yönetimi sağlar. 6-WDFN (2x2mm) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, portatif cihazlar, pil yönetim sistemleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi kompakt tasarımlar gerektiren uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-µDFN (2x2) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok