Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SSM6N42FE(TE85L,F)
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- SSM6N42FE
SSM6N42FE(TE85L,F) Hakkında
SSM6N42FE(TE85L,F), Toshiba tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 20V drain-source gerilimi ve 800mA sürekli drain akımı ile çalışabilir. 240mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. SOT-563 ve SOT-666 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 2nC gate charge ve 90pF input capacitance değerlerine sahiptir. 150°C maksimum junction sıcaklığında ve 150mW güç tüketiminde çalışır. Anahtarlama uygulamaları, amplifikasyon devreleri, güç yönetimi ve sinyal işleme sistemlerinde kullanılan entegre transistör çiftidir. Düşük gerilim lojik devreleri ve taşınabilir elektronik cihazlarda sıklıkla tercih edilir. Ürün durumu kullanım dışı olarak belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 800mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 90pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 150mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok