Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SSM6N35FE,LM
MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- SSM6N35FE
SSM6N35FE,LM Hakkında
SSM6N35FE,LM, Toshiba tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip bu komponent, 20V Drain-Source gerilim kapasitesi ile çalışır. 180mA maksimum sürekli drain akımı ve 3Ω maksimum RDS(ON) değeri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 9.5pF input kapasitesi hızlı komutasyon sağlar. SOT-563/ES6 yüksek yoğunluklu paketlemesi sayesinde kompakt PCB tasarımlarında tercih edilir. Güç yönetimi, portable cihazlar, IoT uygulamaları ve düşük voltajlı anahtarlama devreleri için uygun tasarlanmıştır. -40°C ile +150°C arasında stabil çalışma karakteristiği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9.5pF @ 3V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 50mA, 4V |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok