Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SSM6N16FE,L3F
SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
- Paket/Kılıf
- SOT-563
- Seri / Aile Numarası
- SSM6N16FE
SSM6N16FE,L3F Hakkında
SSM6N16FE,L3F, Toshiba tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. SOT-563/SOT-666 surface mount paketinde sunulan bu komponent, 20V drain-source voltajı ve 100mA sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 3Ω (10mA, 4V) RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine ve 1.1V eşik voltajına (100µA) sahiptir. 150mW maksimum güç dağıtımı ile, 150°C'ye kadar çalışabilir. Düşük sinyalli uygulamalarda, anahtarlama devrelerinde ve lojik kontrol uygulamalarında kullanılır. 9.3pF giriş kapasitansı hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9.3pF @ 3V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 10mA, 4V |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok