Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SSM6L35FE,LM

MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6

Paket/Kılıf
SOT-563
Seri / Aile Numarası
SSM6L35FE

SSM6L35FE,LM Hakkında

SSM6L35FE,LM, Toshiba tarafından üretilen dual N ve P-channel MOSFET transistör dizisidir. 20V Drain to Source gerilimi (Vdss) ile 180mA N-channel ve 100mA P-channel sürekli akım kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliği sayesinde 5V ve 3.3V lojik seviyelerine uyumlu çalışır. SOT-563 veya SOT-666 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 150mW güç yayınlama kapasitesine ve 3Ω (4V, 50mA) açık durumda dirençle karakterize edilir. Giriş kapasitansi 9.5pF @ 3V olup, 150°C'ye kadar işletme sıcaklığında çalışabilir. Tüketici ürünleri, haberleşme cihazları ve endüstriyel kontrolcüler gibi kompakt anahtarlama ve lojik uygulamalarında kullanılan bir transistör dizisidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180mA, 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 3V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Part Status Active
Power - Max 150mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 50mA, 4V
Supplier Device Package ES6
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok