Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SSD2025TF
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- SSD2025
SSD2025TF Hakkında
SSD2025TF, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-channel power MOSFET transistör dizisidir. 60V drain-source voltaj ve 3.3A sürekli drenaj akımı ile tasarlanan bu bileşen, logic level gate kontrolü sayesinde düşük voltaj devrelerden doğrudan kontrol edilebilir. 100mOhm maksimum RDS(on) değeri ve 2W maksimum güç derecelendirmesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan SSD2025TF, motor sürücüler, anahtarlama kaynakları, güç dönüştürücüler ve yük anahtarlaması uygulamalarında yer bulur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 30nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 3.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok