Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

SS9013GBU

TRANS NPN 20V 500MA TO92-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
SS9013

SS9013GBU Hakkında

SS9013GBU, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-92-3 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 500mA kolektör akımı ve 20V kollektör-emiter gerilimi ile çalışabilir. Maksimum 625mW güç dissipasyonuna sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 50mA akımda ve 1V gerilimde 112 değerindedir. Vce doyum gerilimi 600mV'dur. Maksimum işletme sıcaklığı 150°C'dir. Kolektör kesme akımı (ICBO) maksimum 100nA değerindedir. Bu transistör, devre tasarımında darbe kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve düşük-orta güç amplifikasyon aşamalarında kullanılır. Through-hole monte edilebilir. Ürün statüsü obsolete'dir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 112 @ 50mA, 1V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Obsolete
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok