Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

SS9012HBU

TRANS PNP 20V 0.5A TO-92

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
SS9012

SS9012HBU Hakkında

SS9012HBU, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup TO-92 paketinde sunulmaktadır. 20V collector-emitter breakdown voltajı ve 500mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında çalışmak üzere tasarlanmıştır. 144 minimum DC current gain (hFE) değeri ve 600mV saturation voltajı ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılabilir. 625mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ve 150°C operating temperature desteği ile bu bileşen, düşük frekanslı sinyal işleme, anahtarlama, kontrol devreleri ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında yer almaktadır. Through-hole montaj özelliği sayesinde konvansiyonel PCB tasarımlarına uyumludur. Not: Bu bileşen üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 144 @ 50mA, 1V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Obsolete
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok