Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
SS9012GTA-ON
0.5A, 20V, PNP, TO-92
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- SS9012
SS9012GTA-ON Hakkında
SS9012GTA-ON, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup TO-92 paketinde sunulmaktadır. 500 mA maksimum collector akımı ve 20V breakdown voltajı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 625 mW maksimum güç derecelemesi, 112 minimum DC current gain (hFE) ve 600mV saturation voltajı özellikleri ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerine uygundur. Through hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarında yer alır. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sağlar. Endüstriyel kontrol, ses amplifikasyon ve sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 112 @ 50mA, 1V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok