Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

SS8050-D-BP

TRANSISTOR TO-92

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
SS8050

SS8050-D-BP Hakkında

SS8050-D-BP, Micro Commercial Components (MCC) tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup TO-92 paketinde sunulmaktadır. Maksimum collector akımı 1.5A, collector-emitter arasında 25V gerilim dayanımı ve 1W güç kapasitesine sahiptir. 160'lık minimum DC current gain (hFE) değeri ile 100mA akım ve 1V gerilimde çalışmaktadır. 190MHz transition frequency özellikleriyle düşük frekanslı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılan bir transistördür. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı sayesinde çeşitli endüstriyel ortamlarda uygulanabilir. Through-hole montaj türü ile geleneksel PCB tasarımlarında kolayca entegre edilebilir. Mevcut durum itibariyle obsolete olarak kategorize edilmişse de arşiv ve legacy sistem tasarımlarında referans alınabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1.5 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition 190MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Obsolete
Power - Max 1 W
Supplier Device Package TO-92
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 80mA, 800mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok