Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
SS1FN6-M3/I
DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SS1FN6
SS1FN6-M3/I Hakkında
SS1FN6-M3/I, Vishay tarafından üretilen surface mount Schottky doğrultma diyodudur. 60V maksimum ters gerilim ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. Fast Recovery karakteristiği (≤500ns) sayesinde yüksek frekanslı uygulamalarda hızlı anahtarlama sağlar. 530mV ileri voltaj düşümü ve 800µA ters sızıntı akımı özellikleri ile verimli doğrultma işlemi gerçekleştirir. DO-219AB paket tipinde üretilen bu bileşen, güç kaynakları, şarj devreleri, anahtarlamalı güç kaynakları ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 90pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 800 µA @ 60 V |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-219AB (SMF) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 60 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 530 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok