Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SQUN702E-T1_GE3

MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
SQUN702E

SQUN702E-T1_GE3 Hakkında

SQUN702E-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel ve P-Channel MOSFET transistör dizisidir. Common Drain konfigürasyonunda tasarlanan bu bileşen, 40V ve 200V drain-source gerilim aralıklarında çalışır. Maksimum 30A sürekli drenaj akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılabilir. RDS(on) değerleri 9.2mOhm ile 60mOhm arasında değişmektedir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Surface Mount, Wettable Flank paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi, DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Die formunda sağlanan komponent, 48W ile 60W arası maksimum güç tüketimi kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc), 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V, 200V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel, Common Drain
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 20V, 14nC @ 20V, 30.2nC @ 100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1474pF @ 20V, 1450pF @ 20V, 1302pF @ 100V
Mounting Type Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Active
Power - Max 48W (Tc), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 60mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V
Supplier Device Package Die
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok