Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQS966ENW-T1_GE3
MOSFET N-CHAN 60V
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8W Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQS966ENW
SQS966ENW-T1_GE3 Hakkında
SQS966ENW-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj desteği ile güç elektronik uygulamalarında kullanılan bu bileşen, 6A sürekli akım kapasitesine sahiptir. PowerPAK® 1212-8W Dual paketinde sunulan transistör, 36mOhm düşük on-resistance (RDS on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. Gate charge karakteristiği 8.8nC ve giriş kapasitansi 572pF olarak belirlenmiştir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu dual MOSFET, anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörleri ve motor kontrol devreleri gibi güç yönetim sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. Surface mount wettable flank montaj tipi ile PCB entegrasyonu kolaylaştırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 572pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8W Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 27.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 1.25A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8W Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok