Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQS944ENW-T1_GE3
MOSFET N-CHAN 40V
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 1212-8W Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQS944ENW
SQS944ENW-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQS944ENW-T1_GE3, 40V drain-source geriliminde çalışan dual N-channel MOSFET transistördür. 6A sürekli drain akımı kapasitesine ve 25mOhm on-state direnç değerine sahip olup, düşük güç kaybı gerektiren uygulamalarda tercih edilir. PowerPAK® 1212-8W dual paket ile yüksek yoğunluk sağlayan bu bileşen, motor denetim devreleri, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve güç dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 27.8W maksimum güç disipasyonuna uygundur. 10nC gate charge ve 615pF input capacitance ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 615pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8W Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 27.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 1.25A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8W Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok