Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJQ980EL-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK8X8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 8 x 8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJQ980EL
SQJQ980EL-T1_GE3 Hakkında
SQJQ980EL-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 80V Drain-Source gerilim ile 36A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK® 8x8 yüzey montaj paketi ile kompakt uygulamalar için tasarlanmıştır. Düşük 13.5mOhm on-direnç (Rds On) ve 187W maksimum güç yeteneği ile güç dönüştürme, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve elektrik yönetim sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1995pF @ 40V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 187W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok