Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJQ960EL-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK8X8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 8 x 8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJQ960EL
SQJQ960EL-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJQ960EL-T1_GE3, dual N-Channel MOSFET transistör dizisi olup 60V drain-source voltaj ve 63A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. PowerPAK 8x8 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 9mOhm (10A, 10V koşullarında) on-resistance değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi, motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları ve ağır akım uygulamalarında kullanılır. 24nC gate charge ve 1950pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 63A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1950pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 71W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok