Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJQ910EL-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK8X8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 8 x 8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJQ910EL
SQJQ910EL-T1_GE3 Hakkında
SQJQ910EL-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. PowerPAK® 8x8 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 100V drain-source voltaj toleransı ve 70A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 8.6mΩ on-resistance (Vgs=10V, Id=10A) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 187W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışır. Anahtarlama hızı ve verim gerektiren AC/DC konvertörleri, motor kontrol devreleri, güç dağıtım sistemleri ve yüksek akımlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2832pF @ 50V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 187W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok