Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJQ906E-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 8 x 8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJQ906E
SQJQ906E-T1_GE3 Hakkında
SQJQ906E-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 40V Drain-Source geriliminde 95A sürekli dren akımına sahip bu bileşen, düşük on-direnç değeri (3.3mOhm @ 5A, 10V) ile güç uygulamalarında verimli çalışır. PowerPAK 8x8 paketindeki bu dizi MOSFET, anahtarlama devreleri, DC-DC konverterler, motor kontrol ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışan bileşen, endüstriyel ve otoomotiv uygulamaları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 95A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 50W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok