Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJQ904E-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 8 x 8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJQ904E
SQJQ904E-T1_GE3 Hakkında
SQJQ904E-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. PowerPAK® 8x8 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 40V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 3.4mOhm (Rds On) düşük on-direnç değeri ile güç uygulamalarında verimli çalışır. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 175°C) stabil performans gösterir. Anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5900pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 75W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok