Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJQ900E-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® 8 x 8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJQ900E
SQJQ900E-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJQ900E-T1_GE3, PowerPAK 8x8 paketinde iki adet N-channel MOSFET içeren bir transistör dizisidir. 40V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 3.9mOhm (20A, 10V'de) düşük RDS(on) direnci sayesinde ısıl kayıpları minimize eder. Gate charge 120nC ve input capacitance 5900pF değerleriyle hızlı anahtarlama özelliği sunar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. 75W maksimum güç dağıtımı kapasitesiyle DC-DC konvertörleri, motor kontrolü, güç anahtarlama ve benzer yüksek akım uygulamalarında tercih edilir. Surface mount montajı endüstriyel üretim için uygun olup, aktif üretim statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5900pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 75W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 8 x 8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok