Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJB90EP-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJB90EP
SQJB90EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJB90EP-T1_GE3, PowerPAK SO-8 paketinde entegre edilmiş dual N-channel MOSFET'tir. 80V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 21.5mOhm maksimum RDS(on) değeri düşük geçiş kayıpları sağlar. 48W maksimum güç yönetimi ve -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel ve tüketici uygulamalarına uygundur. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, aydınlatma uygulamaları ve anahtarlama güç kaynakları gibi alanlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 48W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok