Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJB80EP-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJB80EP
SQJB80EP-T1_GE3 Hakkında
SQJB80EP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi (Vdss) ile 30A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 19mΩ on-state direnç (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlayan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC konvertörleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SO-8 dual paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 48W güç tüketir. 32nC gate charge ve 1400pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygun performans sunar. Industrial ve automotive uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 48W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok