Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJB70EP-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJB70EP
SQJB70EP-T1_GE3 Hakkında
SQJB70EP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 11.3A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi sistemlerinde ve motor sürücülerinde yer alır. 95mOhm on-resistance değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, 27W maksimum güç yönetim kapasitesine sahiptir ve hızlı anahtarlama uygulamaları için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 27W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok