Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJB68EP-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJB68EP
SQJB68EP-T1_GE3 Hakkında
SQJB68EP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim kapasitesi ile 11A sürekli dren akımı sağlayabilir. PowerPAK SO-8 paketinde sunulan bu komponent, RDS(on) değeri 92mOhm'dur ve maksimum 27W güç taşıyabilir. Gate threshold voltajı 2.5V olup, -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. İçerik: 280pF input kapasitans ve 8nC gate charge. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 27W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 92mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok