Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJB60EP-T2_GE3
DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJB60EP
SQJB60EP-T2_GE3 Hakkında
Vishay SQJB60EP-T2_GE3, dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 60V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK SO-8 paketindeki bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç kaynakları ve yük anahtarlama gibi uygulamalarda yer alır. 12mΩ on-direnci (RDS-ON) düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen yüksek sıcaklık toleransı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok