Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJB60EP-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJB60EP
SQJB60EP-T1_GE3 Hakkında
SQJB60EP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 30A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 12mΩ (10A, 10V koşullarında) düşük on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. PowerPAK® SO-8 paketinde gelen bu bileşen, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve endüstriyel uygulamalarda yer bulur. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığı ve 48W maksimum güç derecelendirmesi ile güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 48W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok