Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJB42EP-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJB42EP
SQJB42EP-T1_GE3 Hakkında
SQJB42EP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. PowerPAK® SO-8 SMD paketinde sunulan bu komponent, 40V drain-source gerilimi ile 30A sürekli drain akımı sağlayabilir. Düşük on-resistance değeri (9.5mOhm @ 10A, 10V) ile verimli anahtarlama özellikleri sunar. Gate charge 30nC ve input kapasitansi 1500pF @ 25V olarak belirtilmiştir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 48W güç tüketimi ile uygun termal yönetim sağlandığında yüksek güç uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 48W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok