Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJB40EP-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJB40EP
SQJB40EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQJB40EP-T1_GE3, PowerPAK® SO-8 Dual paketinde sunulan çift N-channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilim derecelendirilmesi ve 30A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 8mΩ on-resistance değeri ile düşük güç kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, motorlar, DC-DC dönüştürücüler, yük anahtarlaması ve batarya yönetim sistemlerinde yer alır. Surface mount montajı ile modern PCB tasarımlarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 34W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok