Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJB02ELP-T1_GE3
AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJB02ELP
SQJB02ELP-T1_GE3 Hakkında
Vishay SQJB02ELP-T1_GE3, automotive uygulamalar için tasarlanmış dual N-channel MOSFET dizisidir. 40V drain-source geriliminde çalışan bu transistör, 25°C'de 30A sürekli dren akımı sağlar. PowerPAK® SO-8 Dual paketinde sunulan komponent, 7.5mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı oferir. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında stabil işletim yapan cihaz, otomotiv güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları ve motor kontrolü gibi alanlarda kullanılır. 32nC gate charge ve 1700pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 27W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok