Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJB00EP-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJB00EP
SQJB00EP-T1_GE3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SQJB00EP-T1_GE3, PowerPAK® SO-8 Dual paket ile gelen dual N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ile çalışabilen ve 30A sürekli dren akımı sağlayan bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 13mOhm on-state direnci, düşük güç kaybı gerektiren DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç dağıtım sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunan bileşen, 48W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 48W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok