Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SQJ992EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- PowerPAK® SO-8 Dual
- Seri / Aile Numarası
- SQJ992EP
SQJ992EP-T1_GE3 Hakkında
SQJ992EP-T1_GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 15A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. PowerPAK® SO-8 Dual yüzey montaj paketi ile kompakt devre tasarımlarına uyum sağlar. 56.2mOhm maksimum Rds(on) değeri ve düşük kapı yükü özellikleri ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu komponent, motor sürücüleri, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve genel amaçlı anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 446pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 34W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56.2mOhm @ 3.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok